• Sections
  • H - électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11595 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique

Détention brevets de la classe H01L 27/11595

Brevets de cette classe: 17

Historique des publications depuis 10 ans

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Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Sandisk Technologies LLC
5684
4
Intel Corporation
45621
3
Micron Technology, Inc.
24960
3
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
2
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
2
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
1940
2
Applied Materials, Inc.
16587
1
Autres propriétaires 0