- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11595 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11595
Brevets de cette classe: 17
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Sandisk Technologies LLC | 5684 |
4 |
Intel Corporation | 45621 |
3 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
3 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
2 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |